【CNMO科技消息】据外媒报道，正在推进新一代芯片制造技术的研发。公司CEO陈立武在JP摩根技术会议上确认，英特尔目前已在开发“10A”和“7A”制造工艺，这些技术预计将在2030年代投入市场，将实现芯片设计的进一步微型化。
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据Tom's Hardware报道，陈立武表示，半导体行业的大客户不仅评估单个产品，更看重企业的长期发展规划。作为晶圆代工厂，必须提前展示技术路线，因此英特尔现在已开始投资数年后才能产生经济效益的工艺。
当前英特尔的研发重点仍是即将推出的14A工艺。陈立武透露，14A开发进展符合预期，早期版本的工艺设计套件（PDK）已可供客户使用，更成熟的版本将在10月交付外部合作伙伴。多家客户已表达对14A工艺的兴趣，但英特尔未披露具体名称。
按计划，14A工艺的风险试产将于2028年启动，2029年实现大规模量产。这一时间线与主要竞争对手台积电相近，后者也计划在2020年代末推出同类技术。
持牌股票配资平台14A将成为首批在工业规模上采用ASML高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻系统的制造工艺之一。陈立武指出，引入这一全新光刻技术极为复杂，除光刻机本身外，还需开发新的光掩模、材料和测量方法。英特尔正与ASML及其他合作伙伴密切合作，以确保该技术如期达到量产条件。ASML CEO此前表示，首批使用High-NA EUV制造的测试芯片将在未来数月内完成。
与台积电的技术路线不同，英特尔在14A中采用了芯片背面供电技术，该技术尤其适用于高性能数据中心处理器。
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