新型NAND闪存抗辐射能力达传统闪存30倍

财联社5月22日电，美国佐治亚理工学院科学家研制出一款新型NAND闪存。它既能高效处理人工智能（AI）任务，又能承受太空中的极端辐射，其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。相关研究论文已发表于最新一期《纳米快报》杂志。新型NAND闪存利用了与硅工艺兼容的氧化铪材料的铁电性，即材料在一定温度范围内会自发产生极化，且极化方向可在外部电场作用下翻转。这一特性使铁电材料在信息存储、传感、人工智能及新一代低功耗芯片等领域颇具应用潜力。测试结果显示，这款铁电闪存可承受高达100万拉德（辐射吸收剂量）的辐射，相当于1亿次X射线照射，辐射耐受性是传统存储器的30倍。 (科技日报)

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